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2003/05/29

チャージングダメージ

今日、ある開発中の装置評価に使用する試験用Waferの打合せをした。
試験用WaferはMOS構造の素子が並んでいる単純なものである。
この素子を使って電気的なダメージ評価をするのである。
一般にチャージングダメージと呼ばれている。

半導体を使ってトランジスタなどの素子を作る場合、いくつかの工程がある。
成膜、マスク(フォトリソ)、エッチング・アッシング、洗浄等である。
このうち成膜とかエッチング・アッシングの工程ではプラズマを用いた装置がよく使われる。
その際、プラズマ中に製造中の素子がさらされるため、極力このプラズマによるダメージを受けないようにしなくてはならない。
プラズマによる電気的ダメージをチェックする事は、装置開発においては初歩的なこととされている。

ちなみにMOSとは上から順にMetal(金属膜)、Oxcide(シリコン酸化膜)、Silicon(シリコン)が重なってできているので頭文字をとってMOSという。
どうやってダメージを調べるか、はまた明日。

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